CuNi1.5Si 是一種以鎳和硅為主要合金元素的沉淀強(qiáng)化型銅合金，成分精確控制在銅 97.0%-98.0%、鎳 1.2%-1.8%、硅 0.4%-0.6%，雜質(zhì)總和≤0.3%。這種低合金含量配方通過 Ni?Si 強(qiáng)化相的析出，在保持 65% IACS 高導(dǎo)電率的同時(shí)，抗拉強(qiáng)度可達(dá) 600-650MPa，成為電子工業(yè)精密部件的理想材料。

1.5% 的鎳與 0.5% 的硅形成完美協(xié)同，經(jīng)時(shí)效處理后析出納米級 Ni?Si 顆粒（直徑 5-10nm），均勻分布在銅基體中，像剛性支點(diǎn)阻礙位錯運(yùn)動，使強(qiáng)度比純銅提升 2 倍。某半導(dǎo)體引線框架采用 0.2mm 厚的 CuNi1.5Si 帶材，經(jīng)沖壓成型后，引腳平直度誤差≤0.01mm，滿足芯片封裝的精密對接要求，其導(dǎo)電率確保信號傳輸延遲≤1ns。

加工性能呈現(xiàn)獨(dú)特優(yōu)勢，冷軋變形量可達(dá) 70%，能軋制成 0.05mm 的超薄帶材，彎曲半徑為 0.5 倍厚度時(shí)（90° 彎曲）無裂紋。某高端連接器的 CuNi1.5Si 插針，直徑 0.8mm，公差控制在 ±0.005mm，插拔壽命達(dá) 10 萬次，接觸電阻穩(wěn)定在 30mΩ 以下。其焊接性能適合精密電子封裝，激光焊接后接頭強(qiáng)度達(dá)母材的 90%，熱影響區(qū)寬度≤0.1mm。

耐蝕性優(yōu)于普通黃銅，在濕熱環(huán)境（溫度 40℃、濕度 90%）中，表面氧化速率僅 0.002mm / 年，某智能手機(jī)的 CuNi1.5Si 屏蔽罩，使用 2 年無銹蝕，電磁屏蔽效能保持在 80dB 以上。時(shí)效處理工藝是性能關(guān)鍵，經(jīng) 900℃固溶后水淬，再 450℃時(shí)效 4 小時(shí)，可獲得最佳強(qiáng)度與導(dǎo)電率匹配，同批次材料性能波動≤3%。

應(yīng)用集中在精密電子領(lǐng)域：5G 基站的信號傳輸端子，65% IACS 導(dǎo)電率降低信號損耗；航空線纜的屏蔽層，高強(qiáng)度抵御振動疲勞；新能源汽車的電池極耳，兼顧導(dǎo)電與抗變形能力，使用壽命達(dá) 15 萬公里。